BSZ0994NSATMA1

BSZ0994NSATMA1

Истеҳсолкунанда

IR (Infineon Technologies)

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    OptiMOS™
  • баста
    Tape & Reel (TR)
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    30 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    13A (Ta)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    4.5V, 10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    7mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    2V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    7 nC @ 4.5 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    890 pF @ 15 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    2.1W (Ta)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    PG-TSDSON-8-25
  • баста / парванда
    8-PowerTDFN

BSZ0994NSATMA1 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 30021
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.34405
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.34405