BSS84PWH6327XTSA1

BSS84PWH6327XTSA1

Истеҳсолкунанда

IR (Infineon Technologies)

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    SIPMOS®
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    P-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    60 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    150mA (Ta)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    4.5V, 10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    8Ohm @ 150mA, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    2V @ 20µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    1.5 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    19.1 pF @ 25 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    300mW (Ta)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    PG-SOT323-3
  • баста / парванда
    SC-70, SOT-323

BSS84PWH6327XTSA1 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 28591
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.36000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.36000