Мушаххасоти

• силсила
  HEXFET®
• баста
  Tape & Reel (TR)
• ҳолати қисм
  Obsolete
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  40 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  46A (Ta), 270A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  10V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  1mOhm @ 160A, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  4V @ 250µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  330 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  11880 pF @ 25 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  3.8W (Ta), 125W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  DIRECTFET L8
• баста / парванда
  DirectFET™ Isometric L8