EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Истеҳсолкунанда

EPC

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - массивҳо

Тавсифи

GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    eGaN®
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Discontinued at Digi-Key
  • навъи фут
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • хусусияти fet
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    60V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    23A (Tj)
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    4.4mOhm @ 20A, 5V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    2.5V @ 7mA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    6.8nC @ 5V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    830pF @ 30V
  • қувват - макс
    -
  • ҳарорати корӣ
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    Die
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    Die

EPC2102ENGRT Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 7675
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
7.28000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:7.28000