Мушаххасоти

• силсила
  eGaN®
• баста
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  2 N-Channel (Half Bridge)
• хусусияти fet
  GaNFET (Gallium Nitride)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  30V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  10A (Ta), 40A (Ta)
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
• vgs(th) (максимум) @ id
  2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
• қувват - макс
  -
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• баста / парванда
  Die
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  Die