AOTF10B65M2

AOTF10B65M2

Истеҳсолкунанда

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - igbts - ягона

Тавсифи

IGBT 650V 10A TO220

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    Alpha IGBT™
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи igbt
    -
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    650 V
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    20 A
  • ҷорӣ - коллектор импулс (icm)
    30 A
  • vce(дар) (макс) @ vge, ic
    2V @ 15V, 10A
  • қувват - макс
    30 W
  • иваз кардани энергия
    180µJ (on), 130µJ (off)
  • навъи вуруд
    Standard
  • пардохти дарвоза
    24 nC
  • td (фаъол/хомӯш) @ 25°c
    12ns/91ns
  • ҳолати санҷиш
    400V, 10A, 30Ohm, 15V
  • вақти барқарорсозии баръакс (trr)
    262 ns
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • баста / парванда
    TO-220-3
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-220

AOTF10B65M2 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 11559
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
1.87000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:1.87000