Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Obsolete
• навъи фут
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  30 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  12A (Ta)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  10V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  13mOhm @ 12A, 20V
• vgs(th) (максимум) @ id
  2.8V @ 250µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  36 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±25V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  2600 pF @ 15 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  3.1W (Ta)
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  -
• баста / парванда
  -