Мушаххасоти

• силсила
  EPAD®
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• навъи
  General Purpose
• шумораи элементҳо
  2
• навъи баромад
  CMOS, NMOS, Open-Drain, TTL
• шиддат - таъминот, як/дугона (±)
  3V ~ 10V, ±1.5V ~ 5V
• шиддат - ҷуброни вуруд (максимум)
  1mV @ 5V
• ҷорӣ - ғарази вуруд (максимум)
  20pA @ 5V
• ҷорӣ - баромад (намуд)
  50mA @ 5V
• ҷорӣ - ором (максимум)
  180µA
• cmrr, psrr (намуд)
  80dB CMRR, 75dB PSRR
• таъхири паҳншавӣ (максимум)
  -
• гистерезис
  -
• ҳарорати корӣ
  0°C ~ 70°C
• баста / парванда
  8-DIP (0.300", 7.62mm)
• навъи насб
  Through Hole
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  8-PDIP