Мушаххасоти

• силсила
  C3M™
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  SiCFET (Silicon Carbide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  650 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  97A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  15V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  34mOhm @ 33.5A, 15V
• vgs(th) (максимум) @ id
  3.6V @ 9.22mA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  108 nC @ 15 V
• vgs (максимум)
  +19V, -8V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  2980 pF @ 600 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  326W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• навъи насб
  Through Hole
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-247-3
• баста / парванда
  TO-247-3