Мушаххасоти

• силсила
  C3M™
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  SiCFET (Silicon Carbide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  1200 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  100A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  15V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  28.8mOhm @ 50A, 15V
• vgs(th) (максимум) @ id
  3.6V @ 17.7mA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  162 nC @ 15 V
• vgs (максимум)
  +15V, -4V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  4818 pF @ 1000 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  469W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• навъи насб
  Through Hole
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-247-4L
• баста / парванда
  TO-247-4