Мушаххасоти

• силсила
  TrenchFET®
• баста
  Tape & Reel (TR)
• ҳолати қисм
  Obsolete
• навъи фут
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  40 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  6A (Ta), 8A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  4.5V, 10V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  40mOhm @ 5A, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  2.7V @ 250µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  60 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  1555 pF @ 20 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  2.4W (Ta), 24W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-252, (D-Pak)
• баста / парванда
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63