SQ2301ES-T1_GE3

SQ2301ES-T1_GE3

Истеҳсолкунанда

Vishay / Siliconix

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    P-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    20 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    3.9A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    2.5V, 4.5V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    120mOhm @ 2.8A, 4.5V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    1.5V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    8 nC @ 4.5 V
  • vgs (максимум)
    ±8V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    425 pF @ 10 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    3W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 175°C (TA)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-236 (SOT-23)
  • баста / парванда
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SQ2301ES-T1_GE3 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 22594
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.46000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.46000