SISS94DN-T1-GE3

SISS94DN-T1-GE3

Истеҳсолкунанда

Vishay / Siliconix

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    TrenchFET®
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    200 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    7.5V, 10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    75mOhm @ 5.4A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    4V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    21 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    350 pF @ 100 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    PowerPAK® 1212-8S
  • баста / парванда
    PowerPAK® 1212-8S

SISS94DN-T1-GE3 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 21791
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.96000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.96000