SISH407DN-T1-GE3

SISH407DN-T1-GE3

Истеҳсолкунанда

Vishay / Siliconix

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    TrenchFET®
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    P-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    20 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    15.4A (Ta), 25A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    1.8V, 4.5V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    1V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    93.8 nC @ 8 V
  • vgs (максимум)
    ±8V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    2760 pF @ 10 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    3.6W (Ta), 33W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    PowerPAK® 1212-8SH
  • баста / парванда
    PowerPAK® 1212-8SH

SISH407DN-T1-GE3 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 22504
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.93000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.93000