SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Истеҳсолкунанда

Vishay / Siliconix

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - массивҳо

Тавсифи

MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    TrenchFET®
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    2 P-Channel (Dual)
  • хусусияти fet
    Logic Level Gate
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    60V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    3.2A
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    64mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    3V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    40nC @ 10V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    -
  • қувват - макс
    1.5W
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    PowerPAK® SO-8 Dual

SI7949DP-T1-GE3 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 12518
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
1.72000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:1.72000