SI7114DN-T1-E3

SI7114DN-T1-E3

Истеҳсолкунанда

Vishay / Siliconix

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    TrenchFET®
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    30 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    11.7A (Ta)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    4.5V, 10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    7.5mOhm @ 18.3A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    3V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    19 nC @ 4.5 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    -
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    1.5W (Ta)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    PowerPAK® 1212-8
  • баста / парванда
    PowerPAK® 1212-8

SI7114DN-T1-E3 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 12182
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
1.77000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:1.77000