Мушаххасоти

• силсила
  TrenchFET® Gen III
• баста
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  20 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  15.4A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  1.8V, 4.5V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  14mOhm @ 9A, 4.5V
• vgs(th) (максимум) @ id
  1V @ 250µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  99 nC @ 8 V
• vgs (максимум)
  ±8V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  3250 pF @ 10 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  5W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  8-SOIC
• баста / парванда
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)