Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• навъи диод
  Silicon Carbide Schottky
• шиддат - DC баръакс (vr) (макс)
  650 V
• ҷорӣ - миёнаи ислоҳшуда (io)
  8A (DC)
• шиддат - ба пеш (vf) (макс) @ агар
  1.6 V @ 8 A
• суръат
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• вақти барқарорсозии баръакс (trr)
  0 ns
• ҷорӣ - ихроҷи баръакс @ vr
  40 µA @ 650 V
• иқтидори @ vr, f
  28pF @ 650V, 1MHz
• навъи насб
  Through Hole
• баста / парванда
  TO-220-2
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-220-2L
• ҳарорати корӣ - пайванд
  175°C (Max)