TK8A65D(STA4,Q,M)

TK8A65D(STA4,Q,M)

Истеҳсолкунанда

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    π-MOSVII
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    650 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    8A (Ta)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    840mOhm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    4V @ 1mA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    25 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±30V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    1350 pF @ 25 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    45W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    150°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-220SIS
  • баста / парванда
    TO-220-3 Full Pack

TK8A65D(STA4,Q,M) Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 12895
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
2.51000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:2.51000

Рӯйхат

Зеркашӣ кунед