TK290P65Y,RQ

TK290P65Y,RQ

Истеҳсолкунанда

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    DTMOSV
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    650 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    11.5A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    290mOhm @ 5.8A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    4V @ 450µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    25 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±30V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    730 pF @ 300 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    100W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    DPAK
  • баста / парванда
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK290P65Y,RQ Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 11598
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
1.86000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:1.86000

Рӯйхат

Зеркашӣ кунед