-
-
Нархи паст тавассути Factory-Direct
Барои буридани миёнарав бевосита бо заводи электроника кор кунед. Асли нав бо нархи паст ва тахфиф
-
Эътимоднокии бехатар ва сифат
Системаи суғуртаи сифат барои сифати аълои маҳсулот. Дар сари вақт, ҳар вақт таъмин намудани ҷузъҳои сифат.
-
Зиёда аз 15 миллион захираҳо
100+ Истеҳсолкунандаи машҳури ҷаҳонӣ, зиёда аз 15 миллион инвентаризатсия. Саҳмияҳо дастрасанд, ки барои хариди мустақим бо нархи тахфиф дастгирӣ мекунанд.
-
Хизматрасонии дӯстона ба мизоҷон
Як ҳалли ягона, ки ба талаботи беназири шумо фардӣ карда шудааст. Дастгирӣ дар вебсайти 12 забон, роҳати бештар ва хидматҳои зуд.
RN2910,LF(CT
Истеҳсолкунанда
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категорияи маҳсулот
транзисторҳо - биполярӣ (bjt) - массивҳо, пеш аз ғаразнок
Тавсифи
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Мушаххасоти
-
силсила-
-
бастаTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
ҳолати қисмActive
-
навъи транзистор2 PNP - Pre-Biased (Dual)
-
ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)100mA
-
шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)50V
-
резистор - пойгоҳ (r1)4.7kOhms
-
резистор - пойгоҳи эмитент (r2)-
-
фоидаи ҷорӣ DC (hfe) (дақ) @ ic, vce120 @ 1mA, 5V
-
vce сершавии (макс) @ ib, ic300mV @ 250µA, 5mA
-
ҷорӣ - қатъи коллектор (максимум)100nA (ICBO)
-
басомад - гузариш200MHz
-
қувват - макс200mW
-
навъи насбSurface Mount
-
баста / парвандаSC-61AA
-
бастаи дастгоҳи таъминкунандаSMQ
