Мушаххасоти

• силсила
  LinCMOS™
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• навъи пурқувваткунанда
  J-FET
• шумораи схемаҳо
  2
• навъи баромад
  -
• суръати гардиш
  20.7V/µs
• маҳсулоти фарохмаҷро ба даст оред
  3 MHz
• -маҷрои 3 дБ
  -
• ғарази ҷорӣ - ғарази вуруд
  30 pA
• шиддат - ҷуброни вуруд
  650 µV
• ҷорӣ - таъминот
  4.8mA (x2 Channels)
• ҷорӣ - баромад / канал
  80 mA
• шиддат - таъминот, як/дугона (±)
  10V ~ 30V, ±5V ~ 15V
• ҳарорати корӣ
  0°C ~ 70°C (TA)
• навъи насб
  Through Hole
• баста / парванда
  8-DIP (0.300", 7.62mm)
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  8-PDIP