STP12NK80Z

STP12NK80Z

Истеҳсолкунанда

STMicroelectronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    SuperMESH™
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Not For New Designs
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    800 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    10.5A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    750mOhm @ 5.25A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    4.5V @ 100µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    87 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±30V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    2620 pF @ 25 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    190W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-220AB
  • баста / парванда
    TO-220-3

STP12NK80Z Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 10343
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
3.15000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:3.15000