STGW60H65DRF

STGW60H65DRF

Истеҳсолкунанда

STMicroelectronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - igbts - ягона

Тавсифи

IGBT 650V 120A 420W TO247

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Obsolete
  • навъи igbt
    Trench Field Stop
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    650 V
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    120 A
  • ҷорӣ - коллектор импулс (icm)
    240 A
  • vce(дар) (макс) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 60A
  • қувват - макс
    420 W
  • иваз кардани энергия
    940µJ (on), 1.06mJ (off)
  • навъи вуруд
    Standard
  • пардохти дарвоза
    217 nC
  • td (фаъол/хомӯш) @ 25°c
    85ns/178ns
  • ҳолати санҷиш
    400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • вақти барқарорсозии баръакс (trr)
    19 ns
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • баста / парванда
    TO-247-3
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-247

STGW60H65DRF Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 10071
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
5.45000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:5.45000