Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Tape & Reel (TR)
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  30 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  1.4A (Ta)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  4V, 10V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  240mOhm @ 1.4A, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  2.5V @ 1mA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  2 nC @ 5 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  70 pF @ 10 V
• хусусияти fet
  Schottky Diode (Isolated)
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  1W (Ta)
• ҳарорати корӣ
  150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TUMT5
• баста / парванда
  6-SMD (5 Leads), Flat Lead