RGT8BM65DTL

RGT8BM65DTL

Истеҳсолкунанда

ROHM Semiconductor

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - igbts - ягона

Тавсифи

IGBT 650V 8A 62W TO-252

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи igbt
    Trench Field Stop
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    650 V
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    8 A
  • ҷорӣ - коллектор импулс (icm)
    12 A
  • vce(дар) (макс) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 4A
  • қувват - макс
    62 W
  • иваз кардани энергия
    -
  • навъи вуруд
    Standard
  • пардохти дарвоза
    13.5 nC
  • td (фаъол/хомӯш) @ 25°c
    17ns/69ns
  • ҳолати санҷиш
    400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • вақти барқарорсозии баръакс (trr)
    40 ns
  • ҳарорати корӣ
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-252

RGT8BM65DTL Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 11130
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
1.94000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:1.94000