RGT16TM65DGC9

RGT16TM65DGC9

Истеҳсолкунанда

ROHM Semiconductor

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - igbts - ягона

Тавсифи

FIELD STOP TRENCH IGBT

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи igbt
    Trench Field Stop
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    650 V
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    9 A
  • ҷорӣ - коллектор импулс (icm)
    24 A
  • vce(дар) (макс) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 8A
  • қувват - макс
    22 W
  • иваз кардани энергия
    -
  • навъи вуруд
    Standard
  • пардохти дарвоза
    21 nC
  • td (фаъол/хомӯш) @ 25°c
    13ns/33ns
  • ҳолати санҷиш
    400V, 8A, 10Ohm, 15V
  • вақти барқарорсозии баръакс (trr)
    42 ns
  • ҳарорати корӣ
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • баста / парванда
    TO-220-3 Full Pack
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-220NFM

RGT16TM65DGC9 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 14294
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
2.24000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:2.24000