IMB9AT110

IMB9AT110

Истеҳсолкунанда

ROHM Semiconductor

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - биполярӣ (bjt) - массивҳо, пеш аз ғаразнок

Тавсифи

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Not For New Designs
  • навъи транзистор
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    100mA
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    50V
  • резистор - пойгоҳ (r1)
    10kOhms
  • резистор - пойгоҳи эмитент (r2)
    47kOhms
  • фоидаи ҷорӣ DC (hfe) (дақ) @ ic, vce
    68 @ 5mA, 5V
  • vce сершавии (макс) @ ib, ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • ҷорӣ - қатъи коллектор (максимум)
    500nA
  • басомад - гузариш
    250MHz
  • қувват - макс
    300mW
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    SC-74, SOT-457
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    SMT6

IMB9AT110 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 25278
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.41000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.41000