Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  15 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  1.27A (Ta)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  2.7V, 10V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  180mOhm @ 1.5A, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  1.5V @ 250µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  5.45 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  +2V, -15V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  -
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  504mW (Ta)
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  8-TSSOP
• баста / парванда
  8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)