RJK1001DPN-E0#T2

RJK1001DPN-E0#T2

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Obsolete
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    100 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    80A (Ta)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    -
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    5.5mOhm @ 40A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    -
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    147 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    -
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    10 pF @ 10 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    200W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    150°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-220AB
  • баста / парванда
    TO-220-3

RJK1001DPN-E0#T2 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 12956
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
2.49000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:2.49000