RJK03B7DPA-00#J53

RJK03B7DPA-00#J53

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Obsolete
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    30 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    30A (Ta)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    -
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    7.8mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    -
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    11 nC @ 4.5 V
  • vgs (максимум)
    -
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    1.67 pF @ 10 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    30W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    8-WPAK
  • баста / парванда
    8-PowerWDFN

RJK03B7DPA-00#J53 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 40990
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.25000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.25000