RF1S22N10SM

RF1S22N10SM

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

N-CHANNEL POWER MOSFET

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    *
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    -
  • технология
    -
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    -
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    -
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    -
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    -
  • vgs(th) (максимум) @ id
    -
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    -
  • vgs (максимум)
    -
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    -
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    -
  • ҳарорати корӣ
    -
  • навъи насб
    -
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    -
  • баста / парванда
    -

RF1S22N10SM Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 28282
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.73000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.73000