PHT6N06T,135

PHT6N06T,135

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 55V 5.5A SC73

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    55 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    5.5A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    -
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    150mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    4V @ 1mA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    5.6 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    175 pF @ 25 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    8.3W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    SC-73
  • баста / парванда
    TO-261-4, TO-261AA

PHT6N06T,135 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 48486
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.21000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.21000