PDTA115TMB,315

PDTA115TMB,315

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - дуқутбӣ (bjt) - яккаса, қаблан ғаразнок

Тавсифи

NOW NEXPERIA PDTA115TMB - SMALL

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи транзистор
    PNP - Pre-Biased
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    100 mA
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    50 V
  • резистор - пойгоҳ (r1)
    100 kOhms
  • резистор - пойгоҳи эмитент (r2)
    -
  • фоидаи ҷорӣ DC (hfe) (дақ) @ ic, vce
    100 @ 1mA, 5V
  • vce сершавии (макс) @ ib, ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • ҷорӣ - қатъи коллектор (максимум)
    1µA
  • басомад - гузариш
    180 MHz
  • қувват - макс
    250 mW
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    3-XFDFN
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    DFN1006B-3

PDTA115TMB,315 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 500943
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.02000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.02000