NSVB123JPDXV6T1G

NSVB123JPDXV6T1G

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - биполярӣ (bjt) - массивҳо, пеш аз ғаразнок

Тавсифи

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Obsolete
  • навъи транзистор
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    100mA
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    50V
  • резистор - пойгоҳ (r1)
    2.2kOhms
  • резистор - пойгоҳи эмитент (r2)
    4.7kOhms
  • фоидаи ҷорӣ DC (hfe) (дақ) @ ic, vce
    80 @ 5mA, 10V
  • vce сершавии (макс) @ ib, ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • ҷорӣ - қатъи коллектор (максимум)
    500nA
  • басомад - гузариш
    -
  • қувват - макс
    500mW
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    SOT-563, SOT-666
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    SOT-563

NSVB123JPDXV6T1G Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 125974
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.08000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.08000