Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  16 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  1A (Ta)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  -
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  450mOhm @ 100mA, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  1.4V @ 250µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  -
• vgs (максимум)
  ±16V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  100 pF @ 12 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  568mW (Ta)
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  SOT-143
• баста / парванда
  TO-253-4, TO-253AA