ISL2100AABZ

ISL2100AABZ

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

пмик-ронандагони дарвоза

Тавсифи

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Obsolete
  • конфигуратсияи рондашуда
    Half-Bridge
  • навъи канал
    Independent
  • шумораи ронандагон
    2
  • навъи дарвоза
    N-Channel MOSFET
  • таъминоти шиддат
    9V ~ 14V
  • шиддати мантиқӣ - vil, vih
    3.7V, 7.4V
  • ҷорӣ - баромади қуллаи (манбаъ, танӯр)
    2A, 2A
  • навъи вуруд
    Non-Inverting
  • шиддати паҳлӯи баланд - макс (боркунӣ)
    114 V
  • вақти болоравӣ / пастшавӣ (навъ)
    10ns, 10ns
  • ҳарорати корӣ
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    8-SOIC

ISL2100AABZ Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 12053
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
2.68000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:2.68000