IRF8313PBF

IRF8313PBF

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - массивҳо

Тавсифи

HEXFET POWER MOSFET

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    HEXFET®
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Obsolete
  • навъи фут
    2 N-Channel (Dual)
  • хусусияти fet
    Standard
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    30V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    9.7A (Ta)
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    15.5mOhm @ 9.7A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    2.35V @ 25µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    9nC @ 4.5V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    760pF @ 15V
  • қувват - макс
    2W (Ta)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    8-SO

IRF8313PBF Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 42664
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.24000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.24000