IRF614

IRF614

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

ADVANCED POWER MOSFET

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    250 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    2.7A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    2Ohm @ 1.6A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    4V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    8.2 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    140 pF @ 25 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    36W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-220AB
  • баста / парванда
    TO-220-3

IRF614 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 25321
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.41000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.41000