IRF1104LPBF

IRF1104LPBF

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 40V 100A TO262

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    HEXFET®
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Obsolete
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    40 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    100A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    -
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    9mOhm @ 60A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    4V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    93 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    -
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    2.9 pF @ 25 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    -
  • ҳарорати корӣ
    -
  • навъи насб
    Through Hole
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-262
  • баста / парванда
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IRF1104LPBF Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 22090
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.47000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.47000