HGTP3N60A4D

HGTP3N60A4D

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - igbts - ягона

Тавсифи

N-CHANNEL IGBT

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Obsolete
  • навъи igbt
    -
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    600 V
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    17 A
  • ҷорӣ - коллектор импулс (icm)
    40 A
  • vce(дар) (макс) @ vge, ic
    2.7V @ 15V, 3A
  • қувват - макс
    70 W
  • иваз кардани энергия
    37µJ (on), 25µJ (off)
  • навъи вуруд
    Standard
  • пардохти дарвоза
    21 nC
  • td (фаъол/хомӯш) @ 25°c
    6ns/73ns
  • ҳолати санҷиш
    390V, 3A, 50Ohm, 15V
  • вақти барқарорсозии баръакс (trr)
    29 ns
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • баста / парванда
    TO-220-3
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-220-3

HGTP3N60A4D Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 17112
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
1.23000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:1.23000