HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - igbts - ягона

Тавсифи

IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи igbt
    -
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    600 V
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    54 A
  • ҷорӣ - коллектор импулс (icm)
    96 A
  • vce(дар) (макс) @ vge, ic
    2.7V @ 15V, 12A
  • қувват - макс
    167 W
  • иваз кардани энергия
    55µJ (on), 50µJ (off)
  • навъи вуруд
    Standard
  • пардохти дарвоза
    120 nC
  • td (фаъол/хомӯш) @ 25°c
    17ns/96ns
  • ҳолати санҷиш
    390V, 12A, 10Ohm, 15V
  • вақти барқарорсозии баръакс (trr)
    30 ns
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-263AB

HGT1S12N60A4DS Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 9648
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
3.43000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:3.43000