FGB30N6S2T

FGB30N6S2T

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - igbts - ягона

Тавсифи

N-CHANNEL IGBT

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Obsolete
  • навъи igbt
    -
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    600 V
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    45 A
  • ҷорӣ - коллектор импулс (icm)
    108 A
  • vce(дар) (макс) @ vge, ic
    2.5V @ 15V, 12A
  • қувват - макс
    167 W
  • иваз кардани энергия
    55µJ (on), 110µJ (off)
  • навъи вуруд
    Standard
  • пардохти дарвоза
    23 nC
  • td (фаъол/хомӯш) @ 25°c
    6ns/40ns
  • ҳолати санҷиш
    390V, 12A, 10Ohm, 15V
  • вақти барқарорсозии баръакс (trr)
    -
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-263AB

FGB30N6S2T Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 12110
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
1.77000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:1.77000