DF200R12PT4B6BOSA1

DF200R12PT4B6BOSA1

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - igbts - модулҳо

Тавсифи

DFXR12P - IGBT MODULE

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи igbt
    Trench Field Stop
  • конфигуратсия
    Three Phase Inverter
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    1.2 V
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    300 A
  • қувват - макс
    1.1 W
  • vce(дар) (макс) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 200A
  • ҷорӣ - қатъи коллектор (максимум)
    15 µA
  • иқтидори вуруди (cies) @ vce
    12.5 nF @ 25 V
  • вуруд
    Standard
  • термистори ntc
    Yes
  • ҳарорати корӣ
    -40°C ~ 150°C
  • навъи насб
    Chassis Mount
  • баста / парванда
    Module
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    Module

DF200R12PT4B6BOSA1 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 1186
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
166.67000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:166.67000