Мушаххасоти

• силсила
  SIPMOS®
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Obsolete
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  600 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  120mA (Ta)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  0V, 10V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  45Ohm @ 120mA, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  1V @ 94µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  4.9 nC @ 5 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  146 pF @ 25 V
• хусусияти fet
  Depletion Mode
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  1.8W (Ta)
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  PG-SOT223-4
• баста / парванда
  TO-261-4, TO-261AA