BCR112WH6327XTSA1

BCR112WH6327XTSA1

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - дуқутбӣ (bjt) - яккаса, қаблан ғаразнок

Тавсифи

0.1A, 50V, NPN

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи транзистор
    NPN - Pre-Biased
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    100 mA
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    50 V
  • резистор - пойгоҳ (r1)
    4.7 kOhms
  • резистор - пойгоҳи эмитент (r2)
    4.7 kOhms
  • фоидаи ҷорӣ DC (hfe) (дақ) @ ic, vce
    20 @ 5mA, 5V
  • vce сершавии (макс) @ ib, ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • ҷорӣ - қатъи коллектор (максимум)
    100nA (ICBO)
  • басомад - гузариш
    140 MHz
  • қувват - макс
    250 mW
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    SC-70, SOT-323
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    PG-SOT323-3

BCR112WH6327XTSA1 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 500806
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.02000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.02000