Мушаххасоти

• силсила
  HEXFET®
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  24 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  195A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  10V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  1.65mOhm @ 195A, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  4V @ 250µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  240 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  7.59 pF @ 24 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  300W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  D2PAK
• баста / парванда
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB