Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  50 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  100mA (Ta)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  -
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  7.5Ohm @ 50mA, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  2.4V @ 100µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  1.4 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  6.2 pF @ 10 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  150mW (Ta)
• ҳарорати корӣ
  150°C
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  MCP
• баста / парванда
  SC-70, SOT-323