Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Tray
• ҳолати қисм
  Active
• навъи диод
  Silicon Carbide Schottky
• шиддат - DC баръакс (vr) (макс)
  1200 V
• ҷорӣ - миёнаи ислоҳшуда (io)
  61A (DC)
• шиддат - ба пеш (vf) (макс) @ агар
  1.75 V @ 40 A
• суръат
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• вақти барқарорсозии баръакс (trr)
  0 ns
• ҷорӣ - ихроҷи баръакс @ vr
  200 µA @ 1200 V
• иқтидори @ vr, f
  2250pf @ 1V, 100kHz
• навъи насб
  Surface Mount
• баста / парванда
  Die
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  Die
• ҳарорати корӣ - пайванд
  -55°C ~ 175°C