-
-
Нархи паст тавассути Factory-Direct
Барои буридани миёнарав бевосита бо заводи электроника кор кунед. Асли нав бо нархи паст ва тахфиф
-
Эътимоднокии бехатар ва сифат
Системаи суғуртаи сифат барои сифати аълои маҳсулот. Дар сари вақт, ҳар вақт таъмин намудани ҷузъҳои сифат.
-
Зиёда аз 15 миллион захираҳо
100+ Истеҳсолкунандаи машҳури ҷаҳонӣ, зиёда аз 15 миллион инвентаризатсия. Саҳмияҳо дастрасанд, ки барои хариди мустақим бо нархи тахфиф дастгирӣ мекунанд.
-
Хизматрасонии дӯстона ба мизоҷон
Як ҳалли ягона, ки ба талаботи беназири шумо фардӣ карда шудааст. Дастгирӣ дар вебсайти 12 забон, роҳати бештар ва хидматҳои зуд.
H11D1VM
Истеҳсолкунанда
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категорияи маҳсулот
оптоизоляторхо — транзисторхо, баромади фотоэлектрикхо
Тавсифи
OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед
Мушаххасоти
-
силсила-
-
бастаTube
-
ҳолати қисмActive
-
шумораи каналҳо1
-
шиддат - изолятсия4170Vrms
-
таносуби интиқоли ҷорӣ (дақ)20% @ 10mA
-
таносуби интиқоли ҷорӣ (макс)-
-
вақтро фурӯзон / хомӯш кардан (навсозӣ)5µs, 5µs
-
вақти болоравӣ / пастшавӣ (навъ)-
-
навъи вурудDC
-
навъи баромадTransistor with Base
-
шиддат - баромад (максимум)300V
-
ҷорӣ - баромад / канал100mA
-
шиддат - пеш (vf) (навъ)1.15V
-
ҷорӣ - DC ба пеш (агар) (максимум)80 mA
-
vce сершавии (максимум)400mV
-
ҳарорати корӣ-40°C ~ 100°C
-
навъи насбThrough Hole
-
баста / парванда6-DIP (0.300", 7.62mm)
-
бастаи дастгоҳи таъминкунанда6-DIP
